Сотворен 1-ый в мире мемристор – устройство, по свойствам схожее с нейроном
Монослой дисульфида молибдена поверх трехмерной подложки.
Необыкновенное чередование светлых пиков и черных «провалов», сделанных световым потоком, пропущенном через через две узенькие щели, именуется интерференцией. Картина напомнила глазному доктору, британцу Томасу Юнгу поверхность пруда, в который сразу бросили два камня. Это отдало Юнгу основания для доказательства взглядов Лейбница на природу света как совокупы волн. И это противоречило теории соотечественника Юнга, Ньютона, считавшего свет потоком корпускул, либо малых «телец».
Много позднее квантовая физика узаконила представление о единстве частицы-волны, потому дифракции подвергаются, а именно, и электроны.
Качание-резонанс быть может вызвано падением света – световым импульсом – на ничтожно узкий краешек (tip) сканирующего туннельного микроскопа (СТМ). С приближением типа к поверхности начинается «протекание» тока по туннелю под энергетическим барьером, откуда и заглавие микроскопа. Благодаря поочередному сканированию поверхности, к примеру, молекулы визуализируется ее 3D-поверхность, что дозволяет гласить о структуре молекулы.
Альберт Эйнштейн писал в 1905 году о световых корпускулах, бомбардирующих поверхность железной фольги, генерируя тем фотоэффект. За математическое описание этого эффекта Эйнштейн и получил Нобелевскую премию. На данный момент не много кто помнит, что он был членом Баварской академии, уровень которой был очень высок. Сейчас баварцы из Мюнхенского института при помощи коллег из институтов в Констанце и Регенсбурге стараются возвратить высочайший статус, о чем свидетельствует серия проведенных ими работ.
С различием в недельку они вместе выпустили в журнальчике Science две статьи. Одна из их ведает о измерении с аттосекундной точностью (10–18 с) действия лазера на поток электронов, испускаемый «пушкой» электрического микроскопа. Это весьма принципиально исходя из убеждений исследования обскурантистской динамики взаимодействия света и материи. Напомним, что свет и вещество ведут взаимодействие в солнечных панелях и на первом шаге фотосинтеза, когда фотоны практически выбивают электрон из атома марганца. Овладение фотосинтезом освободит Землю от хлопот по добыванию энергии, так как он представляет собой реальный Perpetuum mobile.
Память, реализованная на одном атоме, –
«атом-мем». Иллюстрации Physorg
Во 2-м случае исследовалась сверхбыстрая дифракция электронов. И это отдало прямую визуализацию электронных и магнитных полей снутри и вокруг эталона с субатомным и фемтосекундным (10–15 с) разрешением. Создатели считают, что их результаты окажутся полезными при разработке новейших метаматериалов, делающих, а именно, предметы невидимыми. Баварцы также ссылаются на то, что внедрение «томных» электронов заместо световых фотонов, массы фактически не имеющих, дает в 100 тыс. раз большее пространственное разрешение.
Это весьма принципиально в свете перспектив использования пленок моноатомной толщины, к примеру дисульфида молибдена (MoS2), в каком сера просто дает и воспринимает электроны. Сотрудники Техасского института в Остине благодаря MoS2 сделали 1-ый в мире одноатомный мемристор – устройство памяти, которое по своим свойствам сходно с нейроном.
Нервная клеточка, как считается, имеет на собственной поверхности до 10 тыс. контактов-синапсов. Поступивший по ним электронный сигнал перерабатывается в теле нейрона и в итоге «уходит» по аксону в виде суммированного импульса. Этот импульс возбуждает либо тормозит (подавляет) активность остальных клеток.
Нечто схожее происходит и в мемристоре. Его сопротивление – это сумма приходящих к нему импульсов. Мемристор – хороший элемент памяти. Спецы лаборатории в Оук-Ридже (США) сделали одноатомную память. Сообщение о этом написано в журнальчике Nature. На нынешний денек «атом-ристор» – самый размеренный хранитель памяти. Отсутствие естественной волотильности электрической памяти достигается сэндвичевой структурой, другими словами наложением поверх слоя MoS2 моноатомной пленки гексагонального нитрида бора (hBN).
Создание новейшего типа электрической памяти на атом-ристорах сделалось следствием заслуги конца 2017 года, когда в Остине получили мем-эффект в MoS2, индуцируемый напряжением. Тогда ученые писали, что при помощи 2D-пленок дихалькогенидов металлов можно будет получить память около 25 терабит/см2. Это в 100 раз лучше нынешних накопителей. n
Источник: